此類材料中的無機(jī)物包括SiO2、分子篩、粘土和陶瓷等。采用原位聚合法將納米SiO2添到ODA、PMDA的反應(yīng)體系中，合成出PI/SiO2復(fù)合材料。然后用HF 刻蝕SiO2納米粒子，引入納米微孔，形成含有微孔的PI 薄膜。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)造孔劑含量為15%時(shí)，薄膜的介電常數(shù)從純PI 的3.54 降低至3.05。
目前將介孔氧化硅或POSS的孔洞結(jié)構(gòu)引入聚酰亞胺體系制備低介電復(fù)合材料已成為新的研究熱點(diǎn)。利用原位分散聚合法制備了含有7% SBA-16 和3% SBA-15 的介孔SiO2分子篩的PI 復(fù)合材料，其介電常數(shù)分別為2.61 和2.73，其力學(xué)性能和熱穩(wěn)定性也得到不同程度的提高。研究了3-氨丙基-三甲氧基硅烷(ATS)改性的SBA-15 對(duì)PI 薄膜性能的影響。研究表明，ATS改性的SBA-15 既能提高PI 薄膜的拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率和熱穩(wěn)定性，又能明顯降低PI薄膜的介電常數(shù)。與純PI 相比，含3%SBA-15 的PI 薄膜CTE降低了25%，含10%SBA-15 的PI 薄膜的介電常數(shù)可降至2.6。M H Tsai 等[20]利用溶膠-凝膠法將POSS的孔洞結(jié)構(gòu)引入到PI 中制得PI/SiO2復(fù)合材料，其介電常數(shù)和CTE均很低。
利用插層法制備了PI/粘土納米薄膜，在130 ℃下其介電常數(shù)小于2.75，介質(zhì)損耗因數(shù)為0.005。李廣等[22]利用原位聚合法制備了AlN 摻雜的PI 薄膜，AlN 的摻雜提高了薄膜的介電性能。
目前，PI-無機(jī)物（納米）雜化涂層膠還處于研究階段，尚未商品化。其存在的問題是無機(jī)粒子的含量不高，且粒子易沉積團(tuán)聚，兩相界面的相容性不好等。研究有機(jī)-無機(jī)相的相容性，將無機(jī)納米粒子均勻的分散到高粘度的PI 基體中，是目前開發(fā)納米雜化PI 材料需要解決的首要問題。